Στην εξατομικευμένη παραγωγή σανίδων υψηλής συχνότητας, τα γρέζια διάτρησης και τα πλαστικοποιημένα στρώματα μπορούν να επιλυθούν συστηματικά μέσω ενός συνδυασμού επιλογής υλικού, βελτιστοποίησης παραμέτρων διαδικασίας και πλήρους ελέγχου της διαδικασίας.
Στοχευμένες λύσεις για διάτρηση φρεζών
Προσαρμογή εργαλείου και παραμέτρων: Επιλέξτε τρυπάνια από χάλυβα βολφραμίου εξαιρετικά λεπτού κόκκου (μέγεθος κόκκων 0,2-0,4 μ m), αυξήστε την ταχύτητα στα 35-45 krpm, μειώστε τον ρυθμό τροφοδοσίας κατά 20-30% και προσαρμοστείτε στα ειδικά χαρακτηριστικά υλικού των πλακών υψηλής συχνότητας.
Αφαίρεση τσιπ και βελτιστοποίηση υποστήριξης: Υιοθετώντας μια διαδικασία αφαίρεσης τμηματοποιημένου εργαλείου (τρυπάνι ραμφίσματος), το εργαλείο αφαιρείται κάθε 0,2 χιλιοστά για να αποφορτιστεί πλήρως τα τσιπ. Σε συνδυασμό με πλάκα κάλυψης αλουμινίου υψηλής πυκνότητας και σύνθετο επίθεμα, μειώνει τα γρέζια στην έξοδο της οπής από την πηγή.
Ενίσχυση μετά την επεξεργασία: Μετά τη διάτρηση, προσθέστε διαδικασίες αφαίρεσης πλάσματος ή χημικής σκωρίας για να αφαιρέσετε επιμελώς τα υπολειμματικά υπολείμματα ρητίνης και τις προεξοχές ινών γυαλιού στο τοίχωμα της οπής, αποφεύγοντας επακόλουθα ελαττώματα ηλεκτρολυτικής επιμετάλλωσης.
Έλεγχος λεπτομερειών: Τοποθετήστε το υλικό υψηλής συχνότητας με την όψη προς τα επάνω στην οπή διάτρησης, απαιτώντας η λευκή περιοχή γύρω από το άνοιγμα της οπής να απέχει όχι περισσότερο από 2,5 mm από την άκρη, ως πρότυπο κρίσης διαδικασίας για την ποιότητα του τοιχώματος της οπής.
Συστηματικό σχέδιο πρόληψης και ελέγχου διαστρωμάτωσης πίεσης
Προταίριασμα υλικών: Επιλέξτε ημισκληρυμένα φύλλα χαμηλής ροής (RC%<40%), add a transition buffer layer between high-frequency materials and FR-4, control CTE deviation within 3ppm/℃, and significantly reduce interlayer stress.
Βελτίωση της καμπύλης συμπίεσης: Υιοθετώντας χαμηλό ρυθμό θέρμανσης 1-2 μοιρών/λεπτό, ο χρόνος συμπίεσης επεκτείνεται κατά 30-50% σε σύγκριση με τις συνηθισμένες πλάκες FR4 και ο ρυθμός ψύξης ελέγχεται αυστηρά σε<1 ℃/min to avoid delamination caused by thermal shock.
Εγγύηση περιβάλλοντος και εξοπλισμού: Χρησιμοποιήστε μια πρέσα κενού για να ελέγξετε το βαθμό κενού εντός 10Pa. Πριν πιέσετε, στεγνώστε το υπόστρωμα υψηλής συχνότητας με ηλεκτρική σκούπα στους 80 βαθμούς για 4 ώρες για να αφαιρέσετε καλά την υγρασία από την σανίδα και να εξαλείψετε τις υπολειμματικές φυσαλίδες.
Βελτιστοποίηση δομής: Υιοθετώντας ένα συμμετρικό σχέδιο στοίβαξης, το στρώμα υλικού υψηλής συχνότητας κατανέμεται συμμετρικά με τον κεντρικό άξονα ως σημείο αναφοράς, εξισορροπώντας την κατανομή τάσεων κατά τη διαδικασία συμπίεσης και μειώνοντας τον κίνδυνο παραμόρφωσης και αποκόλλησης από τη ρίζα.
Βασικά σημεία για τον βοηθητικό έλεγχο της απόδοσης μαζικής παραγωγής
Δημιουργήστε μια ειδική βάση δεδομένων για την αντιστάθμιση της διαστολής και της συστολής διαφορετικών πλακών υψηλής συχνότητας και ορίστε ανεξάρτητα συντελεστές αντιστάθμισης στις κατευθύνσεις X/Y για να αποφύγετε ελαττώματα σύνδεσης μεταξύ των στρωμάτων που προκαλούνται από συσσώρευση παραμόρφωσης.
Μετά τη συμπίεση, η κατάσταση του ενδιάμεσου στρώματος επιθεωρείται πλήρως χρησιμοποιώντας τεχνολογία μικροσκοπίας σάρωσης υπερήχων για να διασφαλιστεί ότι δεν υπάρχουν κρυμμένες φυσαλίδες με διάμετρο μεγαλύτερη από 0,2 mm και να αναχαιτιστούν οι πιθανοί κίνδυνοι αποκόλλησης εκ των προτέρων.
Κάθε παρτίδα δειγματοληπτείται για επαλήθευση αξιοπιστίας θερμικού σοκ και μετά από δοκιμή συγκόλλησης 288 μοιρών, δεν υπάρχει φαινόμενο αποκόλλησης ή θραύσης χαλκού, διασφαλίζοντας την αξιοπιστία της χρήσης τερματικού.